（原标题：瑞萨放弃SiC计划）富深优配
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来源 ： 内容综合自日经等 。
据日经新闻不叨叨，日本芯片制造商瑞萨电子已放弃使用新材料（SiC）生产功率半导体的计划，不再计划于“2025 年初”在其位于群马县高崎的工厂投产。
日本半导体巨头瑞萨电子此前宣布，将于2025年开始生产使用碳化硅 (SiC)来降低损耗的下一代功率半导体产品。按照计划，瑞萨电子拟在目前生产硅基功率半导体的群马县高崎工厂实现SiC功率器件的量产，但具体投资金额和生产规模尚未确定。
不过，据相关报道，瑞萨电子此前已经宣布与全球碳化硅技术主导者Wolfspeed达成协议。瑞萨电子将交付20亿美元定金以确保Wolfspeed供应碳化硅裸片和外延片的10年供应承诺。高品质碳化硅晶圆的供应，为瑞萨电子于2025年开始了碳化硅功率半导体规模化生产铺平道路。此次签约仪式在瑞萨电子位于日本东京的公司总部进行，瑞萨电子总裁兼CEO柴田英利与Wolfspeed总裁总裁Gregg Lowe出席并签约。
长达10年的供应协议要求Wolfspeed自2025年向瑞萨电子供应规模化生产的150mm碳化硅裸晶圆和外延片，这将强化公司从硅向碳化硅半导体电力器件产业转型的愿景。在Wolfspeed位于美国北卡罗来纳州的约翰·帕尔莫碳化硅制造中心（The John Palmour Manufacturing Center for Silicon Carbide, The “JP”）实现全面运营后，也将向瑞萨电子供应商200mm碳化硅晶圆和外延片。
瑞萨电子总裁兼CEO柴田英利表示：“与Wolfspeed的晶圆供应协议富深优配，将为瑞萨电子带来一个稳定且长期的高品质碳化硅晶圆供应基础。这将赋予瑞萨电子扩大功率半导体供应，以更好地服务客户的队列不同应用。我们已经蓄势待发，不断实现自我提升，成为加速碳化硅市场的一家关键企业。”
Wolfspeed兼总裁代表Gregg Lowe表示：“伴随着碳化硅在汽车、工业和能源领域的需求逐渐攀升，我们能够拥有像萨电子这样优秀的功率半导体客户是极为重要的，这将引领引领从硅向碳化硅的全球转型。Wolfspeed聚焦制造碳化硅和高品质输出功率超过35年。这点燃了我们的使命，向着推动全球节能迈进重要的一步。”
瑞萨电子20亿美元定金将帮助支持Wolfspeed启动中的产能建设计划，包括位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的全球最大碳化硅材料工厂约翰·帕尔莫碳化硅制造中心（The John Palmour Manufacturing Center for Silicon Carbide, The “JP”）。接下来采用了前面提到的前沿技术、投资证实亿美元的工厂，计划在现有Wolfspeed北卡罗来纳州达勒姆园区碳化硅制造产能基础上实现10目前工厂将主要生产200mm碳化硅晶圆。200mm碳化硅晶圆最终比150mm碳化硅晶圆大1.7倍，这也就意味着每片晶圆可以制作更多数量的芯片，从而降低器件成本。
日前，Wolfspeed将要破产的消息传出来以后，就有新闻披露，瑞萨的SiC可能面临障碍，这次日经的爆料，似乎已经盖棺定论。
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